漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：20A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.22Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

20N50GX具有优异的导通性能和快速开关特性，能够在高频条件下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具备较高的热稳定性和耐久性，能够承受一定的过载和瞬态电流冲击。内置的体二极管也使其适用于需要反向电流保护的应用场景。由于采用了先进的平面工艺和封装技术，20N50GX在高温环境下仍能保持良好的性能和可靠性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间，能够兼容多种驱动电路设计。同时，其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗。20N50GX还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，适用于高可靠性要求的工业和汽车电子系统。

20N50GX主要应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、LED照明驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的中高功率场合。例如，在电源适配器中，20N50GX可作为主开关器件，实现高效的能量转换；在电机控制应用中，它可用于实现PWM调速控制；在太阳能逆变器或储能系统中，20N50GX也可作为关键的功率开关元件。

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　　 "20N50C3",
　　 "20N50L",
　　 "25N50",
　　 "IRFZ44N"
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