LR431ATLT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的光耦合器。该器件采用小型封装,具有高隔离电压和低输入电流的特点,适用于需要电气隔离的各种应用场合。LR431ATLT1G 内部包含一个高效的 GaAsP 发光二极管(LED)和一个硅光电晶体管,二者通过光学耦合实现信号传输。
这款光耦的主要特点是其高共模抑制能力和出色的稳定性,能够在恶劣环境下保持可靠的性能表现。由于其紧凑的外形设计和优越的电气特性,LR431ATLT1G 在工业控制、通信设备以及消费类电子产品中得到广泛应用。
型号:LR431ATLT1G
制造商:ON Semiconductor
类型:光耦合器
通道数:1
输入电流(IF):1.0mA to 20mA
集电极-发射极电压(VCE):70V
集电极电流(IC):50mA
隔离电压(VIORM):5300Vrms
工作温度范围:-40°C to +110°C
封装形式:DIP-4
存储温度范围:-65°C to +150°C
LR431ATLT1G 具备以下显著特点:
1. 高隔离电压(5300Vrms),确保在高压环境下的安全操作。
2. 输入电流范围宽(1.0mA 至 20mA),便于灵活配置。
3. 小型化封装(DIP-4),节省空间,适合密集布局。
4. 良好的热稳定性,在极端温度范围内仍能保持稳定性能。
5. 长使用寿命,发光二极管和光电晶体管的组合保证了产品的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
这些特性使得 LR431ATLT1G 成为许多对隔离性能要求较高的应用场景的理想选择。
LR431ATLT1G 可广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化系统中的信号隔离。
2. 电力电子设备中的反馈电路。
3. 医疗设备中的安全隔离。
4. 消费类电子产品中的电源管理。
5. 通信接口的电气隔离。
6. 开关电源和变频器中的控制信号传输。
该器件凭借其优异的隔离性能和稳定性,特别适合用于需要高可靠性和长寿命的应用场景。
TLP291-1,
HCPL-2231,
PS2501-1