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H9TKNNN8JDARUR-NGH 发布时间 时间:2025/9/2 6:46:48 查看 阅读:11

H9TKNNN8JDARUR-NGH 是一款由Hynix(海力士)公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽存储器(HBM,High Bandwidth Memory)的一种。这款芯片采用先进的3D堆叠封装技术,通过硅通孔(TSV,Through Silicon Via)技术实现高密度存储和高速数据传输。该芯片广泛应用于高性能计算(HPC)、图形处理单元(GPU)、人工智能(AI)加速器以及高端网络设备等领域。

参数

容量:8GB
  类型:DRAM(HBM2)
  数据速率:2.4Gbps
  电压:1.3V
  封装类型:3D TSV
  接口:HBM2接口
  工作温度范围:0°C至95°C

特性

H9TKNNN8JDARUR-NGH 芯片具有高带宽、低延迟和低功耗的特点,适用于需要大量数据处理的应用场景。其3D堆叠封装技术使得存储器带宽大幅提升,同时减少了芯片占用空间。该芯片支持多通道并行数据传输,提高了整体系统性能。此外,它还具备较高的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定运行。
  该芯片的核心优势在于其HBM2技术,它通过将多个DRAM芯片垂直堆叠并通过TSV互连,从而实现了比传统GDDR5或DDR4存储器更高的带宽效率。H9TKNNN8JDARUR-NGH 的设计使其能够满足GPU和AI加速器对内存带宽的严苛要求,同时降低了功耗和PCB布局复杂度。
  在系统集成方面,该芯片支持与先进GPU和FPGA的高效互连,适用于需要大量数据流处理的计算平台。其封装和接口设计也使其具备良好的兼容性,适用于多种高性能计算模块。

应用

H9TKNNN8JDARUR-NGH 芯片主要应用于高性能计算(HPC)、图形处理单元(GPU)、人工智能(AI)加速器、数据中心服务器、高端网络设备以及嵌入式视觉系统等场景。特别是在需要高带宽内存的AI训练和推理任务中,该芯片表现出色。

替代型号

H9TQNNN8GDARUR-NGH, H9TQNNN8JDAYUR-NGH

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