时间：2025/9/2 6:46:48
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H9TKNNN8JDARUR-NGH 是一款由Hynix（海力士）公司生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）的一种。这款芯片采用先进的3D堆叠封装技术，通过硅通孔（TSV，Through Silicon Via）技术实现高密度存储和高速数据传输。该芯片广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器以及高端网络设备等领域。
容量：8GB
类型：DRAM（HBM2）
数据速率：2.4Gbps
电压：1.3V
封装类型：3D TSV
接口：HBM2接口
工作温度范围：0°C至95°C
H9TKNNN8JDARUR-NGH 芯片具有高带宽、低延迟和低功耗的特点，适用于需要大量数据处理的应用场景。其3D堆叠封装技术使得存储器带宽大幅提升，同时减少了芯片占用空间。该芯片支持多通道并行数据传输，提高了整体系统性能。此外，它还具备较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
该芯片的核心优势在于其HBM2技术，它通过将多个DRAM芯片垂直堆叠并通过TSV互连，从而实现了比传统GDDR5或DDR4存储器更高的带宽效率。H9TKNNN8JDARUR-NGH 的设计使其能够满足GPU和AI加速器对内存带宽的严苛要求，同时降低了功耗和PCB布局复杂度。
在系统集成方面，该芯片支持与先进GPU和FPGA的高效互连，适用于需要大量数据流处理的计算平台。其封装和接口设计也使其具备良好的兼容性，适用于多种高性能计算模块。
H9TKNNN8JDARUR-NGH 芯片主要应用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器、数据中心服务器、高端网络设备以及嵌入式视觉系统等场景。特别是在需要高带宽内存的AI训练和推理任务中，该芯片表现出色。
H9TQNNN8GDARUR-NGH, H9TQNNN8JDAYUR-NGH
