类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：40A
　　漏源电压 (Vds)：40V
　　栅源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 (Rds(on))：典型值 5.3mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　最大功耗 (Ptot)：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 或 TO-220
　　阈值电压 (Vgs(th))：1.5V 至 2.5V（在 Id=250μA 时）

LR40H004 MOSFET 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统的整体效率。其低 Rds(on) 值（典型值 5.3mΩ）意味着在高电流条件下，器件的电压降和功耗都较低，从而降低了热量产生并提高了可靠性。
　　该器件采用先进的沟槽栅结构，使得其具有更高的电流密度和更好的热稳定性。同时，LR40H004 的最大漏极电流可达 40A，使其适用于大电流应用，如电动工具、电源适配器、同步整流和电池管理系统。
　　此外，该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅源电压，具备良好的栅极电压耐受能力，提高了在复杂开关环境中的稳定性。其阈值电压为 1.5V 到 2.5V，在低电压控制电路中也具有良好的兼容性。
　　封装方面，LR40H004 可提供 PowerFLAT 5x6 或 TO-220 等多种封装形式，满足不同应用对空间和散热的需求。PowerFLAT 封装适用于表面贴装工艺，具有良好的热管理和空间利用率，而 TO-220 则适合插件式安装，便于散热片连接。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于各种恶劣环境条件，具备较高的可靠性和稳定性。

LR40H004 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备等场景。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该 MOSFET 特别适合用于同步整流电路、高侧和低侧开关以及功率因数校正（PFC）电路。
　　在消费类电子产品中，LR40H004 可用于笔记本电脑电源适配器、平板电脑电池管理、LED 照明驱动电路等。在工业应用中，它常用于 PLC 控制模块、伺服电机驱动器和工业电源模块。
　　此外，由于其良好的热性能和封装多样性，LR40H004 也被广泛应用于新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电动车电池管理系统中。

IRF4010, STP40NF40, FDP40N40