时间：2025/12/27 8:47:47
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LR31833BG-AG6-R是一款由LRC（乐山无线电）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，适用于高效率、高频率的开关电源应用。该器件封装在DFN2510-6L小型化无铅表面贴装封装中，具有极低的导通电阻和优良的热性能，能够在有限的空间内提供出色的功率处理能力。由于其优异的电气特性和紧凑的封装设计，LR31833BG-AG6-R广泛应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统的功率控制等场景。该产品符合RoHS环保要求，并具备良好的可靠性和稳定性，适合在工业控制、消费电子、便携式设备等领域中使用。器件的工作结温范围通常为-55°C至+150°C，支持宽温度环境下稳定运行。此外，该MOSFET还具备较低的栅极电荷和米勒电容，有助于减少开关损耗，提升系统整体能效。
型号：LR31833BG-AG6-R
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：DFN2510-6L
通道数：单通道
漏源电压VDS：30V
栅源电压VGS：±20V
连续漏极电流ID（@25°C）：18A
脉冲漏极电流IDM：72A
导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：4.3mΩ
导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：5.8mΩ
阈值电压Vth：典型值1.5V，范围1.0~2.3V
输入电容Ciss：典型值1250pF
输出电容Coss：典型值450pF
反向传输电容Crss：典型值100pF
栅极电荷Qg（@10V）：典型值20nC
体二极管反向恢复时间trr：典型值25ns
工作结温Tj：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
LR31833BG-AG6-R采用高性能沟槽式场效应晶体管结构，具备极低的导通电阻，显著降低了导通状态下的功率损耗，特别适用于大电流、低电压的电源管理系统。其RDS(on)在VGS=10V时最大仅为4.3mΩ，在VGS=4.5V时也仅5.8mΩ，确保在轻载和满载条件下均能保持高效能表现。这种低导通电阻特性使得器件在同步整流应用中能够有效替代肖特基二极管，进一步提高转换效率并减少发热。
该器件的栅极电荷Qg典型值为20nC，结合较低的输入电容和米勒电容（Crss典型值100pF），使其在高频开关操作中表现出色，能够显著降低驱动损耗和开关过渡时间，从而提升电源系统的整体动态响应能力和能效水平。此外，较低的反向传输电容也有助于抑制噪声耦合，增强电路稳定性。
DFN2510-6L封装不仅体积小巧（2.5mm x 1.0mm x 0.75mm），而且底部带有裸露焊盘，可有效传导热量至PCB，实现良好的散热性能。这种封装形式非常适合空间受限的高密度布局设计，如移动设备主板、笔记本电脑电源模块或便携式充电器等应用场景。
LR31833BG-AG6-R具备良好的热稳定性和抗瞬态过载能力，可在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作，适用于各种严苛环境条件下的电力控制任务。同时，其内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr典型值25ns），在非理想关断条件下仍能保持较好的抗冲击能力，防止因反向恢复引起的电压尖峰损坏其他元件。
LR31833BG-AG6-R主要用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理场合。常见应用包括但不限于：同步整流型DC-DC降压变换器，用于服务器、通信设备和嵌入式系统的供电模块；电池供电设备中的负载开关与电源路径管理，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备；电机驱动电路中的低端开关元件；LED驱动电源中的开关调节部分；以及各类便携式电子产品的热插拔保护和电源分配系统。此外，由于其优异的开关特性和热性能，也可用于多相VRM（电压调节模块）设计中，配合控制器实现高效的电压调节方案。在大电流开关应用中，多个LR31833BG-AG6-R可以并联使用以分担电流，提高系统可靠性。该器件同样适用于隔离式电源的次级侧同步整流，取代传统二极管以降低功耗并提升能效等级。
SiR144DP-T1-GE3
AON6260
FDS6680A
