时间：2025/6/25 21:44:33
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LQP03TG15NJ02D 是一款由罗姆（ROHM）生产的低功耗、小型化 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有超低导通电阻和快速开关特性，适用于各种便携式设备和高效能电源管理场景。
此器件主要面向需要高效率和小尺寸解决方案的应用，例如智能手机充电器、笔记本电脑适配器、DC-DC 转换器以及电池管理系统等。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（典型值）：15mΩ
栅极阈值电压：1.3V
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装类型：USP-6B (1.8mm x 2.0mm)
静态栅极漏电流：±100nA (最大值，@ VGS=0V, Tj=25℃)
总热阻：45°C/W
LQP03TG15NJ02D 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻确保了在高电流应用中的损耗最小化。
2. 快速开关性能，支持高频开关应用，从而提高整体系统效率。
3. 小型化的封装设计使其非常适合空间受限的设计环境。
4. 支持宽范围的工作温度，适应多种极端条件下的使用需求。
5. 低栅极电荷和输入电容进一步优化了其动态性能。
6. 高可靠性，符合 AEC-Q101 标准，适合汽车级应用。
LQP03TG15NJ02D 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 消费类电子产品的负载开关和保护电路。
3. 电池供电设备中的电源管理单元 (PMU)。
4. 汽车电子系统中的电机驱动和负载切换。
5. 可穿戴设备和其他便携式设备中的高效电源转换方案。
6. LED 照明驱动电路中的开关元件。
LQP03TQ15NQ02D, LQP03TG15NJ02C
