时间：2025/9/11 16:59:52
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K3357-SZ 是一款由韩国制造的N沟道场效应晶体管（MOSFET），主要用于低电压和中等功率的开关应用。这款晶体管采用TO-92封装，体积小巧，适合高密度电路设计。K3357-SZ 具有较低的导通电阻，使其在低电压应用中表现出色，同时具备较高的开关速度，适用于各种电子设备中的功率控制。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
漏极电流（Id）：150mA
栅极阈值电压（Vgs(th)）：0.8V 至 2.5V
导通电阻（Rds(on)）：约10Ω
功率耗散（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
K3357-SZ MOSFET 具有低导通电阻，使其在导通状态下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体能效。
该器件具备较高的开关速度，适用于需要快速响应的电路应用，例如脉宽调制（PWM）控制和电源管理。
其TO-92封装形式适用于印刷电路板（PCB）上空间受限的场合，同时便于手工焊接和维修。
K3357-SZ 的栅极阈值电压范围适中，允许使用标准逻辑电平进行驱动，简化了与微控制器或其他数字电路的接口设计。
此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适合在各种环境条件下运行。
K3357-SZ 常用于低电压开关、信号切换、LED驱动、小型电机控制和电池供电设备中的功率管理。
它也适用于消费类电子产品，如便携式音频设备、遥控器、玩具和小型家用电器。
在工业控制领域，该MOSFET可用于传感器信号调节、继电器驱动和低功耗电源管理系统。
此外，K3357-SZ 还可用于通信设备中的信号路由和电源控制，确保稳定可靠的运行。
2N7000, BS170, 2N3904
