时间：2025/5/8 19:32:15
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LQG15HS6N2S02D 是一款由 Rohm（罗姆）生产的功率 MOSFET 芯片，属于 LQ 系列。该芯片采用了先进的制造工艺和封装技术，专为高效率开关应用设计，适合需要低导通电阻和快速开关性能的场景。
这款 MOSFET 的主要特点是其极低的导通电阻以及出色的热性能表现，能够有效减少功率损耗并提高系统整体效率。它适用于汽车电子、工业设备及消费类电子产品中的多种电源管理场景。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：15V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：0.45mΩ
总功耗(Ptot)：75W
工作温度范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-263-3
LQG15HS6N2S02D 提供了非常低的导通电阻，有助于降低功率损耗，特别是在大电流应用场景中。此外，该芯片具备较高的雪崩耐量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
由于采用了 TO-263-3 封装，这种表面贴装方式不仅提供了良好的散热性能，还便于自动化生产和装配，提高了生产效率。
该 MOSFET 的栅极电荷较低，从而降低了驱动损耗，并支持更高的开关频率，非常适合用于高频 DC/DC 转换器和其他开关模式电源设计。
此外，Rohm 对该产品的制造质量严格把控，确保了其长期使用的稳定性和一致性，是高性能功率转换的理想选择。
LQG15HS6N2S02D 主要应用于以下领域：
1. 汽车电子 - 包括引擎控制单元、电动车窗控制器、座椅调节电机驱动等。
2. 工业设备 - 如工厂自动化设备中的伺服电机驱动、工业级 DC/DC 转换器。
3. 消费类电子产品 - 笔记本电脑适配器、USB-PD 充电器、LED 驱动电路。
4. 通信电源 - 基站供电模块、路由器电源解决方案。
其广泛的应用得益于其强大的电气性能和适应不同环境的能力。
LQG15HS6N2S02DTR, LQG15HS6N2S02DS
