类型：SiC MOSFET
　　额定电压：1200V
　　额定电流：160A
　　导通电阻(Rds(on))：29mΩ
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　栅极电压(Vgs)范围：-20V至+25V
　　漏源击穿电压(Vds)：1200V
　　最大功耗：300W

UDQ2916LB-GSI具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件采用SiC材料，具有高击穿电场、高热导率和低热阻，使其能够在高温和高压环境下稳定运行。其次，其导通电阻仅为29mΩ，降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的FET-JFET混合架构使其在高频开关应用中具有更低的开关损耗，从而减少了对散热器和冷却系统的需求。
　　在封装方面，UDQ2916LB-GSI采用标准TO-247封装，具有良好的热管理和机械稳定性，便于在各种工业应用中进行安装和散热。该器件的栅极电压范围为-20V至+25V，提供了良好的栅极驱动兼容性，并增强了器件的可靠性和抗干扰能力。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在极端环境下的稳定运行。
　　此外，UDQ2916LB-GSI具有较低的寄生电容和反向恢复损耗，这使其在硬开关和高频谐振电路中表现优异，适用于高效率电源转换器、电机驱动系统和可再生能源系统等应用。该器件还具备良好的短路耐受能力，进一步提升了系统在故障情况下的稳定性。

UDQ2916LB-GSI广泛应用于需要高效率、高频率和高功率密度的电力电子系统中。常见的应用包括电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、逆变器、工业电源、太阳能逆变器、储能系统以及高频功率转换设备。此外，该器件也非常适用于高可靠性要求的工业自动化设备、电机驱动系统和UPS（不间断电源）系统。

Qorvo的UDQ2K16B-GSI、Infineon的IMZA120R030M1H、STMicroelectronics的SCT3045KL、ON Semiconductor的NVHL025N120SC1