产品类型：MOSFET 阵列模块
　　通道类型：N 沟道
　　漏源电压 (VDS)：30 V
　　连续漏极电流 (ID)：50 A
　　脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
　　栅源阈值电压 (VGS(th))：1.8 V ~ 2.5 V
　　导通电阻 RDS(on)：最大 5 mΩ @ VGS = 10 V
　　栅极电荷 (Qg)：典型值 45 nC
　　输入电容 (Ciss)：典型值 2800 pF
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK MLP33-8
　　安装方式：表面贴装 (SMD)
　　符合 RoHS 标准：是

EVM3SSX50B13 具备多项优异的电气与热力学特性，使其在现代高功率密度电源系统中表现出色。首先，其超低的导通电阻 RDS(on) 可显著降低导通损耗，提高整体系统效率，尤其在大电流应用中优势明显。该模块在 VGS = 10 V 条件下，RDS(on) 最大仅为 5 mΩ，能够有效减少发热，延长器件寿命并提升可靠性。其次，器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，实现了更高的载流子迁移率和更低的开关损耗，支持高频开关操作，适用于现代高频 DC-DC 转换器拓扑如 buck、boost 和同步整流电路。
　　此外，EVM3SSX50B13 的封装设计采用无引线 MLP（Micro Lead Frame Package）结构，极大地缩短了内部连接路径，降低了寄生电感和电阻，提升了高频响应能力和抗噪声干扰能力。这种封装还具备优良的热传导性能，热量可通过底部散热焊盘迅速传递至 PCB，实现高效的热管理。器件的工作结温可达 +150°C，表明其可在高温环境下稳定运行，适用于严苛工业环境。
　　该模块还具备良好的栅极驱动兼容性，可在 4.5 V 至 12 V 的栅源电压范围内正常工作，适用于多种常见的 PWM 控制器和驱动 IC。同时，较低的栅极电荷（Qg = 45 nC）意味着驱动功耗更低，有助于简化驱动电路设计并提升系统整体能效。内置的体二极管也经过优化，具有较快的反向恢复特性，进一步减少了开关过程中的能量损耗。综合来看，EVM3SSX50B13 在效率、热性能、可靠性和集成度方面均达到较高水平，是高性能电源系统中的理想选择。

EVM3SSX50B13 广泛应用于需要高效、高电流开关能力的电力电子系统中。其主要应用场景包括但不限于：高性能服务器和数据中心的电压调节模块（VRM），用于为 CPU、GPU 和 ASIC 提供稳定的低电压大电流供电；通信基站和网络设备中的 DC-DC 多相降压转换器，实现高效率的能量转换；工业自动化控制系统的电机驱动与电源管理单元，确保设备在复杂电磁环境中稳定运行；此外，它也被用于电池管理系统（BMS）、电动工具、便携式医疗设备以及高亮度 LED 驱动电源中。
　　在同步整流拓扑中，EVM3SSX50B13 可替代传统肖特基二极管，大幅降低导通压降和功耗，提升转换效率，特别适用于 LLC 谐振变换器和反激式电源的次级侧整流。其高电流承载能力和快速开关特性也使其成为热插拔控制器和电子保险丝（eFuse）的理想开关元件。由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化 SMT 生产流程，有利于提高生产效率和产品一致性。在汽车电子领域，尽管该型号并非 AEC-Q101 认证器件，但在非车载但类似要求的工业级应用中仍具竞争力。总体而言，任何需要紧凑尺寸、高效能和高可靠性的功率开关场合，都是 EVM3SSX50B13 发挥优势的应用领域。

SiR142DP-T1-E3
　　IRLHS3442PbF
　　LMG5200R04