时间：2025/8/7 12:59:46
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LQA10N150C 是一款由Littelfuse公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理和功率转换电路。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：150V
漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
最大工作温度：150°C
封装类型：TO-252（D-Pak）
LQA10N150C MOSFET具备多项优异特性，包括高耐压能力和较低的导通电阻，这使其在高功率应用中表现出色。其高开关速度有助于提高电源转换效率，同时减少开关损耗。该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，适合在高温环境下工作。此外，LQA10N150C采用TO-252封装，便于散热和安装，适合于表面贴装技术（SMT）工艺。其坚固的设计和优良的电气性能，使其在工业控制、电源供应器和电机驱动等应用中广泛使用。
LQA10N150C的栅极驱动设计使其能够在较低的栅极电压下工作，从而简化了驱动电路的设计。同时，该器件具备较高的短路耐受能力，提升了系统的稳定性与安全性。此外，其低漏电流特性有助于减少待机功耗，满足现代电子设备对节能的要求。
LQA10N150C MOSFET广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制器、LED驱动器、电池管理系统以及各种高功率开关电路中。其优异的性能使其在工业自动化、汽车电子和消费电子产品中均有应用。
IRF150N15D, FDP10N150, STP10N150
