时间：2025/6/14 12:14:06
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EPC16QI100N是一款高性能的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），专为高频和高效率应用设计。该器件采用增强型GaN技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器和射频放大器等领域。
这款芯片通过优化的封装设计提高了散热性能，从而增强了整体系统效率和可靠性。其独特的材料特性和结构设计使其能够在高频工作条件下保持卓越的性能。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：超高
结温范围：-40℃至+150℃
EPC16QI100N具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。同时，它具备超快的开关速度，可以显著降低开关损耗。
此外，该器件采用了QFN封装形式，具有良好的热性能和电气性能。由于其出色的性能特点，这款GaN FET非常适合需要高效率和高功率密度的应用场景。
GaN技术相比传统的硅基MOSFET提供了更高的击穿场强和更优的电子迁移率，使得EPC16QI100N在高频应用中表现出色，并且能够承受更高的工作温度。
EPC16QI100N广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 射频功率放大器
4. 电机驱动
5. 太阳能逆变器
6. 电动汽车充电设备
7. 数据中心电源模块
这些应用场景均要求高效、紧凑的设计，而EPC16QI100N凭借其卓越的性能能够很好地满足这些需求。
EPC2016C, EPC2020C
