您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > KSD1616GTA

KSD1616GTA 发布时间 时间:2023/12/6 11:33:37 查看 阅读:124

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
晶体管类型:NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 50mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 100mA, 2V
功率 - 最大:750mW
频率 - 转换:160MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-92-3(标准主体),TO-226
包装:带盒 (TB)

KSD1616GTA推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

KSD1616GTA资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

KSD1616GTA参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大750mW
  • 频率 - 转换160MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
  • 供应商设备封装TO-92-3
  • 包装带盒(TB)