时间：2025/8/13 9:41:06
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LPB8204DT1AG是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET，适用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻和高开关性能，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制等场景。LPB8204DT1AG采用PowerSO-10封装，具有较高的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：14A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ（最大值，VGS=10V）
功率耗散：44W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PowerSO-10
LPB8204DT1AG的主要特性包括：
1. 低导通电阻（RDS(on)）：确保在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，提高整体系统效率。
2. 高电流承载能力：在PowerSO-10封装中可提供高达14A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。
3. 优异的热性能：封装设计优化，提供良好的热传导能力，有助于在高温环境下保持稳定工作。
4. 快速开关特性：具有较低的栅极电荷（Qg），可实现快速开关操作，减少开关损耗。
5. 高可靠性：符合AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子系统等高要求应用场景。
6. 宽工作温度范围：可在-55°C至150°C范围内稳定运行，适用于工业级和汽车级应用。
LPB8204DT1AG广泛应用于以下领域：
1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，以提高电源转换效率。
2. 电池管理系统：用于电动工具、电动自行车、电动汽车中的电池充放电控制。
3. 电机控制：适用于无刷直流电机驱动、工业自动化设备中的功率开关。
4. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块、LED照明驱动等。
5. 工业设备：用于伺服电机驱动、UPS不间断电源、工业电源模块等。
STL8204DS2AG, IPD8204, FDD8204, NTD8204N
