时间：2025/8/6 11:14:45
阅读：25
IXGH24N50B 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其它高功率场合。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适合于高效率和高性能的电力电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压 Vds：500V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：24A
脉冲漏极电流 Idm：96A
功耗 Pd：300W
导通电阻 Rds(on)：典型值0.21Ω（最大0.27Ω）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
IXGH24N50B 采用了先进的平面栅极技术和高密度芯片设计，使其在高电压和高电流条件下具有出色的性能。其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和短路耐受能力，能够在苛刻的工作环境下保持稳定运行。
该器件的封装形式为 TO-247AC，具备良好的散热性能和机械强度，适用于高功率密度设计。此外，IXGH24N50B 的栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路，降低了外围电路设计的复杂性。
在可靠性方面，IXGH24N50B 通过了严格的工业级测试标准，确保其在各种应用环境下的长期稳定性和耐用性。
IXGH24N50B 主要应用于高功率开关电源（如服务器电源、工业电源）、DC-DC 转换器、电机控制和驱动电路、逆变器（如太阳能逆变器、UPS不间断电源）、电焊机、感应加热设备等电力电子系统中。由于其高耐压和大电流特性，该器件在需要高效能功率开关的场合表现出色。
IXGH24N60B, IXFH24N50P, IRFP460LC, FCP24N50E
