LP2301ELT1G 时间：2025/8/15 19:23:24 阅读：19

LP2301ELT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的低功耗、双路P沟道增强型MOSFET（场效应晶体管）负载开关，广泛用于需要高效电源管理和负载切换的应用场景。该器件主要用于控制电源的开启与关闭，以减少系统功耗并提高整体能效。LP2301ELT1G采用小型TSOP封装，适用于便携式设备、笔记本电脑、移动电源和其他需要高效电源管理的电子设备。

参数

类型：P沟道MOSFET负载开关
　　通道数：2
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大连续漏极电流(ID)：-2.8A
　　导通电阻(RDS(ON))：110mΩ（典型值）
　　栅极电压(VGS)范围：-1.1V至-8V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP

特性

LP2301ELT1G具有多项关键特性，使其适用于现代电源管理系统。
　　首先，该器件内置两个独立的P沟道MOSFET，支持双路负载控制，提高了设计的灵活性和集成度。
　　其次，其导通电阻RDS(ON)非常低，典型值仅为110mΩ，从而降低了导通损耗，提高了能效，并减少了发热。
　　此外，该器件支持高达-2.8A的连续漏极电流，能够满足多种中等功率应用的需求。
　　其栅极电压范围为-1.1V至-8V，兼容多种控制电路，便于集成到不同的系统设计中。
　　工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在各种环境条件下稳定运行。
　　LP2301ELT1G还具有快速开启和关闭的能力，有助于减少开关损耗并提高响应速度。
　　最后，其TSOP封装体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，如便携式电子产品和嵌入式系统。

应用

LP2301ELT1G广泛应用于多种电源管理系统和电子设备中，尤其适合需要高效能、低功耗负载切换的场景。
　　主要应用领域包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备），用于控制不同功能模块的电源供应，从而延长电池寿命。
　　在笔记本电脑和移动电源中，该器件可用于管理外部接口（如USB端口）的电源分配，实现过流保护和热插拔控制。
　　同时，该器件也适用于工业控制设备和嵌入式系统，用于电源管理、负载切换以及系统级节能设计。
　　另外，由于其双路独立控制特性，LP2301ELT1G也可用于多路电源分配系统，例如多电池管理系统或多个子系统的电源控制。
　　在通信设备中，该器件可以用于控制射频模块或传感器的电源，以实现按需供电，提升系统整体效率。