器件型号：LOT676-R2S2-24-Z
　　制造商：Littelfuse
　　通道数：6通道
　　工作电压（VRWM）：24V
　　击穿电压（VBR）：26.7V（最大值）
　　钳位电压（VC）：42.2V（在IPP=1A时）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（8/20μs波形）
　　电容值（C）：典型值0.3pF（每通道，f=1MHz）
　　ESD耐受能力：±15kV（空气放电），符合IEC 61000-4-2 Level 4
　　反向漏电流（IR）：小于1μA（在VRWM下）
　　封装类型：DFN-10
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　产品等级：工业级
　　符合标准：IEC 61000-4-2, IEC 61000-4-4, IEC 61000-4-5

LOT676-R2S2-24-Z 具备卓越的瞬态电压抑制性能，能够在极短时间内响应并泄放高达1A的峰值脉冲电流（8/20μs测试波形），从而有效防止外部瞬态能量对后级电路造成损害。其核心优势之一是超低结电容设计，每通道典型值仅为0.3pF，在高频信号传输路径中几乎不会引入额外的信号失真或衰减，因此特别适用于USB 3.0、HDMI、DisplayPort、SD卡接口、MIPI等高速差分或单端信号线路的ESD保护。这种低电容特性确保了信号完整性不受影响，同时仍能提供强大的抗干扰能力。
　　该器件采用雪崩效应机制实现过压保护，当瞬态电压超过击穿电压（VBR）时，TVS迅速进入导通状态，将多余能量引导至地，限制输出端电压在安全范围内（钳位电压VC约为42.2V）。在整个过程中，器件自身承受的能量被有效耗散，避免下游IC如MCU、ASIC、FPGA等因过压而损坏。LOT676-R2S2-24-Z 支持双向保护模式，可应对正负极性的瞬态冲击，增强了系统的鲁棒性。其DFN-10封装具有优良的热传导性能和机械稳定性，适用于自动化贴片生产流程，并能在-40°C至+125°C宽温范围内稳定工作，满足严苛工业与汽车电子应用需求。
　　此外，该TVS阵列内部结构优化，通道间隔离良好，串扰小，能够独立保护六条独立信号线。器件还具备极低的反向漏电流（<1μA），在正常工作状态下几乎不消耗系统功耗，有利于延长电池供电设备的续航时间。整体设计兼顾高性能、小型化与可靠性，是现代高密度、高速电子系统中不可或缺的保护元件。

LOT676-R2S2-24-Z 主要用于各类需要高等级静电防护的高速数据接口保护场景。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB Type-C、HDMI、音频插孔、摄像头模组和触摸屏控制器等信号线路的ESD防护。由于其支持IEC 61000-4-2 Level 4标准，非常适合暴露在人体直接接触环境下的端口保护，例如外设接口、充电端口和数据传输端口。
　　在通信领域，该器件可用于以太网PHY接口、RS-485、CAN总线等工业通信模块中，抵御来自电缆感应或雷击引起的瞬态干扰。在消费类电子产品中，常用于SD卡槽、SIM卡座、耳机插座等易受插拔操作引发ESD事件的位置。此外，也可应用于医疗设备、测试仪器和便携式IoT终端中，保护敏感模拟前端或数字控制信号免受意外静电损伤。得益于其小型DFN封装和六通道集成设计，LOT676-R2S2-24-Z 能显著减少PCB布板面积，提高系统集成度，尤其适合空间受限的可穿戴设备和微型传感器节点。