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IS62WV2568BLL-55BLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 18:35:58 查看 阅读:4

IS62WV2568BLL-55BLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速、低功耗CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片的容量为256K x 8位,适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该器件采用异步设计,支持高速读写操作,且不需要时钟信号,适用于多种嵌入式系统和工业控制设备。

参数

容量:256K x 8位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:55ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行(异步)
  数据宽度:8位
  封装引脚数:54
  封装尺寸:标准TSOP尺寸
  读取电流:典型值50mA
  待机电流:最大值10mA

特性

IS62WV2568BLL-55BLI-TR是一款高性能的异步SRAM,具备高速访问能力和低功耗特性。其55ns的访问时间使得它适用于需要快速数据读取和写入的应用场合。该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),增强了其在不同电源环境下的适用性,同时具备宽温工作范围(-40°C至+85°C),适合工业级应用。
  此外,该SRAM采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高可靠性的特点,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长设备的电池寿命。TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了系统的集成度和稳定性。
  IS62WV2568BLL-55BLI-TR提供标准的并行异步接口,兼容多种微控制器和嵌入式系统平台,便于设计和集成。其高稳定性和耐用性使其广泛应用于通信设备、工业控制、汽车电子、便携式设备等领域。

应用

IS62WV2568BLL-55BLI-TR广泛用于需要高速数据存储和低功耗的嵌入式系统中。典型应用包括网络设备、工业控制系统、通信模块、数据采集设备、医疗仪器以及便携式电子产品。其宽温特性和工业级封装使其适用于严苛的工业环境。

替代型号

IS62WV2568ALL-55BLI-TR, CY62148EVLL-45ZS, IDT71V416SA8B-6TFI

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IS62WV2568BLL-55BLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量2 Mbit
  • 组织256 K x 8
  • 访问时间55 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.5 V
  • 最大工作电流15 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体mBGA-36
  • 封装Reel
  • 接口TTL
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量2500
  • 类型Asynchronous