类型：IGBT模块
　　额定集电极电流（IC）：10A
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：600V
　　栅极驱动电压（VGES）：±20V
　　导通压降（VCEsat）：约1.5V（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：DIP封装
　　短路耐受能力：有
　　内置保护：反向并联二极管

LO10-00B24E 的核心特性包括高功率密度、低开关损耗和优良的热稳定性。其IGBT芯片采用了先进的沟槽栅技术和场截止结构，有效降低了导通压降和开关损耗，提高了整体效率。此外，模块内部集成的快速恢复二极管能够有效抑制反向恢复电流，减少电磁干扰（EMI）。
　　该模块具有良好的热传导性能，支持高频率开关操作，适用于对能效和散热要求较高的工业应用。其DIP封装设计便于安装和维护，同时也增强了模块在高频应用中的稳定性。LO10-00B24E 还具备较强的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提升了系统的可靠性和安全性。
　　模块的绝缘性能良好，能够在高温和高湿环境下稳定运行，适用于各种恶劣工业环境。此外，该模块的电气性能稳定，具备较低的电磁干扰（EMI）水平，有助于提高系统的整体电磁兼容性。

LO10-00B24E 主要应用于需要高效功率转换和控制的工业设备中，如交流变频器、伺服电机驱动器、电焊机、UPS不间断电源、太阳能逆变器等。由于其具备良好的开关性能和耐高温特性，该模块也常用于电机控制和电源管理系统中。此外，在需要高可靠性和长寿命的自动化设备中，LO10-00B24E 也常被用作核心功率开关器件。

SKM10GB120D, APT10G120UDN