型号：UPJ1K390MPD
　　类型：P沟道
　　漏源电压(VDS)：-30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-6.9A
　　脉冲漏极电流(IDM)：-24A
　　导通电阻(RDS(on))：39mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻(RDS(on))：50mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：-1V ~ -2.5V
　　输入电容(Ciss)：700pF @ VDS=15V
　　开关时间(上升/下降)：18ns / 16ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/焊盘：PowerPAK SO-8L

UPJ1K390MPD采用Vishay专有的TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上构建垂直沟道结构来显著降低导通电阻，从而提高器件的电流处理能力和能效。该MOSFET的关键特性之一是其低RDS(on)，在VGS = -10V时仅为39mΩ，而在VGS = -4.5V时也仅达到50mΩ，这意味着即使在较低的驱动电压下也能实现高效的功率传输，特别适合用于同步整流和高密度电源模块。
　　另一个重要特性是其优异的开关性能。由于输入电容Ciss仅为700pF（在VDS=15V条件下测量），并且栅极电荷Qg较小，因此该器件能够实现快速的开关响应，减少开关损耗，提升整体系统效率。这对于高频DC-DC变换器尤为重要，因为在高频下，开关损耗通常会成为限制效率的主要因素。此外，UPJ1K390MPD的开关时间非常短，上升时间为18ns，下降时间为16ns，有助于进一步减小死区时间和交叉导通风险。
　　该器件还具备良好的热稳定性，得益于PowerPAK SO-8L封装的高效散热设计。该封装去除了传统引线框架中的焊线连接，采用双面冷却方式，增强了热传导路径，使结到外壳的热阻显著降低，从而允许更高的功率密度和更长的使用寿命。同时，其小型化封装（约5mm x 6mm）节省了PCB空间，非常适合便携式设备和高集成度电子产品。
　　UPJ1K390MPD具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），确保其在极端环境下的可靠性，可用于工业自动化、车载电子和通信基础设施等领域。此外，内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，减少了寄生效应带来的能量损耗，提升了电路的整体动态响应能力。综合来看，这些特性使其成为高性能电源管理系统的理想选择。

UPJ1K390MPD因其出色的电气特性和封装优势，被广泛应用于多个领域。首先，在DC-DC转换器中，尤其是降压（Buck）拓扑结构中，常作为高端或低端开关使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率并减少发热。其次，该器件非常适合用作负载开关，用于控制电源路径的通断，例如在主板上的外设供电管理、热插拔电路或电源排序系统中，能够有效防止浪涌电流并对下游电路提供保护。
　　在电池供电系统中，如笔记本电脑、平板电脑和移动设备中，UPJ1K390MPD可用于电池隔离和充放电控制电路，凭借其低静态功耗和高可靠性，有助于延长电池续航时间。此外，在电机驱动应用中，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，该P沟道MOSFET可作为上桥臂开关元件，配合逻辑控制实现精确的方向和速度调节。
　　在汽车电子系统中，UPJ1K390MPD可用于车身控制模块、LED照明驱动、传感器电源管理等子系统，其宽温域和高耐用性满足了严苛的车载环境要求。同时，该器件也适用于工业控制系统中的继电器替代方案，实现固态开关功能，避免机械触点磨损问题，提升系统寿命和稳定性。
　　此外，UPJ1K390MPD还可用于热插拔控制器、USB电源开关、PoE（以太网供电）终端设备以及各类嵌入式电源管理系统中。由于其具备较强的抗瞬态干扰能力，也能在噪声较大的电磁环境中保持稳定运行。总体而言，该器件适用于任何需要高效、小型化、高可靠性的P沟道功率开关的场合。

Si7196DP-T1-E3
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