LNZ8F5V1T5G 时间：2025/8/13 20:58:00 阅读：24

LNZ8F5V1T5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效能和高可靠性的应用中。该器件采用先进的 Trench 技术，具备较低的导通电阻和较高的功率处理能力。LNZ8F5V1T5G 通常用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器和电池供电设备中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：8.0 A
　　最大漏源电压 (VDS)：30 V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20 V
　　导通电阻 (RDS(on))：22 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻 (RDS(on))：30 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSOP
　　安装类型：表面贴装
　　引脚数：8
　　功耗 (PD)：2.5 W

特性

LNZ8F5V1T5G 具备多项显著特性，使其在多种应用中表现出色。首先，该器件采用了先进的 Trench 技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了能效。其次，其低 RDS(on) 值（在 VGS = 10 V 时为 22 mΩ，在 VGS = 4.5 V 时为 30 mΩ）确保了在高电流负载下仍能保持较低的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　此外，LNZ8F5V1T5G 具有高达 8A 的连续漏极电流能力，适用于中高功率应用。其最大漏源电压为 30V，栅源电压范围为 ±20V，使其能够在较宽的电压范围内稳定工作。这种高电压容忍能力增强了器件的灵活性，适用于多种电源管理任务。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TSOP，具有 8 个引脚，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和紧凑型设计。其封装设计有助于有效散热，提升器件在高功率应用中的稳定性。
　　LNZ8F5V1T5G 还具备良好的热稳定性，工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，适合在恶劣环境条件下运行。这一特性使其广泛应用于汽车电子、工业控制和便携式设备等领域。

应用

LNZ8F5V1T5G 主要用于以下几个方面：
　　1. **电源管理**：由于其低导通电阻和高电流处理能力，常用于 DC-DC 转换器、稳压器和负载开关电路中，以提高电源转换效率。
　　2. **电池供电设备**：适用于便携式电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的电源管理系统，有助于延长电池寿命。
　　3. **汽车电子**：由于其宽工作温度范围和高可靠性，该器件被广泛应用于汽车中的电机控制、照明系统和车载充电器等。
　　4. **工业控制系统**：用于工业自动化设备中的开关电源、电机驱动和继电器替代电路，提供高效的电力控制方案。
　　5. **消费类电子产品**：如电源适配器、LED 照明驱动器和家用电器中的电源管理模块。