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HM5225325FBP-B60 发布时间 时间:2025/9/7 4:25:43 查看 阅读:20

HM5225325FBP-B60 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该SRAM芯片的容量为512K位(64K x 8),采用高速访问时间设计,适用于需要高速数据存取的嵌入式系统和工业控制设备。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高可靠性和良好的抗干扰性能,广泛应用于通信设备、网络路由器、测试仪器和自动化控制系统等领域。

参数

容量:64K x 8 = 512Kbit
  访问时间:6ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据保持电压:1.5V
  输入/输出电平:TTL兼容
  最大工作频率:166MHz

特性

HM5225325FBP-B60 是一款高性能SRAM芯片,具备快速访问时间和低功耗特性。其6ns的访问时间使得它能够满足高速缓存和实时系统的需求。芯片采用3.3V供电,符合现代低功耗设计的趋势,同时在数据保持模式下仅需1.5V即可维持数据不丢失,进一步降低了系统功耗。
  此外,该芯片具有TTL兼容的输入/输出电平,能够与多种逻辑电路直接连接,无需额外的电平转换器,简化了硬件设计。其TSOP封装形式有助于减小PCB面积,提高集成度,适用于高密度电路设计。
  该SRAM芯片还具有良好的抗辐射和抗干扰能力,适合在工业和通信环境中长期稳定运行。由于其高可靠性和宽工作温度范围,HM5225325FBP-B60 常被用于工业控制、网络设备、医疗仪器和军事电子等关键系统中。

应用

HM5225325FBP-B60 SRAM芯片主要应用于需要高速数据存储和低功耗运行的系统。常见的应用包括网络路由器和交换机的缓存、工业控制系统的高速缓存、测试与测量设备的数据存储、嵌入式系统的临时数据缓冲,以及通信基站和服务器的高速缓存模块。由于其优异的稳定性和宽温特性,该芯片也常用于汽车电子、航空航天和医疗电子等对可靠性要求极高的场合。

替代型号

CY7C1512KV18-6B4I、IS61LV25616-6TLI、IDT71V416S85BHI、AS7C34098A-6TC、M5M54856AFCP

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