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31414-8600 发布时间 时间:2025/5/7 17:36:55 查看 阅读:8

31414-8600是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适合需要高效能和可靠性的应用环境。
  这款MOSFET采用TO-220封装形式,便于散热设计,并且能够承受较高的电压和电流负载。其N沟道结构使其在正向驱动时具备更优的导电性能。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:5mΩ
  栅极电荷:50nC
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

31414-8600的核心优势在于其低导通电阻和高效的开关性能。它能够在高频条件下保持较低的功耗,从而提升整体系统的效率。
  此外,该器件具备良好的抗雪崩能力,在短路或过载情况下能够提供额外保护。同时,由于采用了先进的制造工艺,它的热阻显著降低,有助于进一步改善散热表现。
  该MOSFET还支持快速切换操作,适用于同步整流、DC-DC转换器以及逆变器等复杂电路设计。其高可靠性也使得它成为工业级和汽车级应用的理想选择。

应用

31414-8600主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关
  2. 工业电机驱动和控制
  3. 汽车电子系统中的负载管理
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备
  5. 笔记本电脑适配器及消费类电子产品中的高效电源模块
  6. 高效DC-DC转换器和电池管理系统(BMS)

替代型号

IRF840
  STP16NF06
  FDP5500

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