类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：约4.5mΩ（典型值）
　　功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：D2PAK

LNP4338T1G具有低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使其适用于大功率应用，例如DC-DC转换器、电机控制、电源管理模块和负载开关。此外，该器件具有优异的热稳定性和耐用性，可在高温度环境下稳定运行。MOSFET的栅极驱动设计简单，便于集成到各种电路拓扑中。
　　LNP4338T1G还具备快速开关特性，减少开关损耗，并提升整体系统性能。该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。其D2PAK封装提供了良好的散热性能，使得该MOSFET在高负载条件下依然能够保持稳定运行。
　　此外，LNP4338T1G在设计时考虑了雪崩能量耐受能力，确保在异常工作条件下仍具有较高的可靠性。该特性使其在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中具有广泛的应用前景。

LNP4338T1G常用于电源管理电路，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电动工具、电机驱动器和负载开关控制。此外，该器件也适用于汽车电子系统，例如车载充电器、启停系统和电动助力转向系统。由于其高可靠性和优异的热性能，LNP4338T1G也广泛应用于工业自动化、不间断电源（UPS）和储能系统中。

SiHF4336-E3, IRF4338PBF, FDP4338BL, NTD4338N