时间：2025/12/26 0:30:01
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SDB1040MTR47是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用表面贴装封装，适用于高效率电源转换和高频整流应用。该器件属于SBD系列，专为在低电压、大电流环境中提供优异性能而设计，广泛应用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及续流与箝位电路中。SDB1040MTR47的命名遵循ST的标准命名规则：'SDB'代表肖特基二极管系列，'10'表示平均整流电流能力，'40'对应最大反向重复电压为40V，'MTR'表示其为带卷带包装的表面贴装版本，'47'可能指特定的包装或批次标识。该器件采用紧凑型PowerFlat封装（如DFN2x2），具有极低的导通压降和快速的开关响应时间，能够显著降低功率损耗并提高系统整体能效。此外，其无铅设计符合RoHS环保标准，适合现代绿色电子产品制造需求。由于其出色的热性能和电气特性，SDB1040MTR47常用于便携式设备、笔记本电脑电源管理单元、服务器电源模块及通信设备中的同步整流环节。
类型：肖特基二极管
配置：单个
最大重复反向电压（VRRM）：40 V
平均整流电流（IO）：10 A
正向压降（VF）：典型值550 mV（在10 A时）
峰值浪涌电流（IFSM）：150 A（8.3ms单半正弦波）
反向漏电流（IR）：最大1.0 mA（在40 V, 25°C）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
热阻结到外壳（RθJC）：约1.5 °C/W
封装形式：DFN2x2（PowerFlat）
安装类型：表面贴装（SMD）
SDB1040MTR47的核心优势在于其采用先进的沟道肖特基技术，实现了极低的正向导通压降与可控的反向漏电流之间的最佳平衡。这种结构通过优化金属-半导体接触界面，有效抑制了高温下的漏电问题，同时保持了高电流承载能力。其正向压降在10A负载下仅为约550mV，大幅减少了传导损耗，提升了电源系统的转换效率，尤其适用于低压大电流输出的DC-DC变换器。该器件具备非常快的反向恢复时间（几乎为零），因为肖特基二极管是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关应用中不会产生显著的反向恢复电流尖峰，从而降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗。
该产品的热设计也十分出色，得益于DFN2x2的小尺寸但高效散热封装，底部带有裸露焊盘，可直接连接PCB上的热地平面，实现良好的热传导路径，确保在高功率密度环境下仍能稳定运行。其最大连续平均整流电流可达10A，在充分散热条件下甚至可短时承受更高电流冲击。此外，SDB1040MTR47具有优异的瞬态过载能力，峰值浪涌电流高达150A，能够在电源启动或负载突变时可靠工作而不发生击穿。
从可靠性角度看，该器件经过严格的生产测试和质量控制流程，具备高抗湿性、耐焊接热循环能力强，并通过AEC-Q101等车规级认证的部分型号验证（视具体产品等级而定），使其不仅可用于工业级设备，也可拓展至汽车电子领域。整体而言，SDB1040MTR47是一款高性能、高可靠性的肖特基二极管，特别适合对效率、尺寸和热管理有严格要求的应用场景。
SDB1040MTR47广泛应用于各类需要高效能、高频整流的电力电子系统中。典型用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，尤其是在低电压输出（如3.3V、5V、12V）的AC-DC适配器和电源模块中，利用其低VF特性提升效率；在同步整流架构尚未普及或成本受限的设计中，该器件是理想的替代选择。它也常见于DC-DC降压或升压转换器中作为续流二极管使用，防止电感反电动势损坏主开关管，同时减少能量损耗。
此外，该器件适用于电池充电管理系统、便携式消费类电子产品（如平板电脑、移动电源）、服务器电源单元、电信整流模块以及LED驱动电源等场合。在逆变器和UPS不间断电源系统中，SDB1040MTR47可用于防止反向电流流动和实现快速换向功能。由于其表面贴装封装和小型化特点，非常适合自动化贴片生产和高密度PCB布局，满足现代电子产品轻薄化和高集成度的需求。在某些汽车电子应用中，如车载信息娱乐系统电源、辅助电源模块等，只要工作温度在其范围内且符合相关认证要求，也可考虑使用该型号。
SB1040CT
SD1040S10L
MBR1040CT
SS1040
DSK10H40LS
