类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.3A
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：0.042Ω（最大）
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-223

LNP3604T1G具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，该MOSFET采用了先进的Trench沟槽工艺，确保了较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体能效。此外，该器件的额定漏极电流高达5.3A，适用于中高功率应用，例如电源管理、DC-DC转换器和电机控制电路。LNP3604T1G的栅源电压范围为±20V，提供了较高的栅极驱动灵活性，并能在较高电压下保持稳定工作。
　　在封装方面，LNP3604T1G采用SOT-223小型封装，具有良好的热管理性能，能够有效散热，延长器件使用寿命。该封装形式适合表面贴装技术（SMT），提高了PCB组装的自动化程度和生产效率。此外，该MOSFET的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，能够在极端环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
　　LNP3604T1G还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，使其在突发负载或短路情况下仍能保持稳定工作，提高了系统的可靠性和耐用性。由于其低导通电阻和高效能特性，该器件在电池供电设备、负载开关和功率放大器中均有广泛应用。

LNP3604T1G广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高效功率管理和可靠开关性能的场景。例如，该MOSFET常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。此外，它也适用于便携式电子设备中的电池管理系统，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。在工业自动化领域，LNP3604T1G可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块和电源管理单元。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，该器件在汽车电子系统中也有广泛应用，如车载充电器、LED照明驱动和车载娱乐系统的电源模块。

Si2302DS, FDS6675, IRF7309, NDS355AN