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PM1200HCE330- 发布时间 时间:2025/8/1 18:05:16 查看 阅读:34

PM1200HCE330 是由Vishay Semiconductors制造的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等高功率场合。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(on))和高电流能力,同时具备良好的热性能和可靠性。PM1200HCE330采用TO-220封装,适用于工业和汽车电子应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):1200V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):8A
  脉冲漏极电流(IDM):32A
  导通电阻(RDS(on)):最大值330mΩ
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

PM1200HCE330具有多项优异特性,适用于高功率开关应用。
  首先,其漏源电压(VDS)高达1200V,适用于高电压系统,如工业电源、太阳能逆变器和高压DC-DC转换器。
  其次,该MOSFET的导通电阻(RDS(on))最大为330mΩ,确保在高电流工作状态下损耗较低,提高了系统效率。此外,其连续漏极电流为8A,脉冲漏极电流可达32A,具备良好的瞬态响应能力。
  该器件采用先进的沟槽型MOSFET技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,使其在高频开关应用中表现出色。TO-220封装提供了良好的散热性能,同时便于安装和焊接,适用于多种PCB布局。
  PM1200HCE330的栅极驱动电压范围为±20V,确保栅极控制稳定可靠,适用于各种驱动电路设计。其工作温度范围为-55°C至150°C,满足工业级和部分汽车电子应用的严苛环境要求。
  此外,该器件具备良好的雪崩能量耐受能力,增强了在高压开关应用中的可靠性,减少因电压尖峰引起的失效风险。

应用

PM1200HCE330广泛应用于多个高功率电子系统中。
  在开关电源(SMPS)中,该MOSFET常用于PFC(功率因数校正)电路、半桥或全桥拓扑结构,提供高效的功率转换能力。
  在DC-DC转换器中,PM1200HCE330适用于升压(Boost)或降压(Buck)拓扑,用于电信设备、服务器电源和工业控制系统中的电源管理模块。
  该器件也可用于负载开关电路,实现对高电压负载的快速控制,如电机驱动、加热元件控制和LED照明系统中的高压调光控制。
  此外,在电机控制和电动汽车充电系统中,PM1200HCE330凭借其高耐压和低导通电阻特性,被广泛用于H桥驱动和功率调节模块。
  由于其优异的雪崩能量耐受能力和温度稳定性,该MOSFET也适用于太阳能逆变器、储能系统和UPS不间断电源等新能源应用领域。

替代型号

IXFH8N120, FQA8N120, IRGB4062DPBF, STW12NK120Z

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