时间：2025/12/25 10:50:18
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BAV99HMT116是一款由ROHM Semiconductor生产的双极性小信号二极管阵列，采用SOT-23（SC-59）表面贴装封装。该器件内部集成了两个独立的高速开关二极管，共阴极连接，适用于高频信号处理和保护电路中。BAV99HMT116广泛用于现代电子设备中的信号整流、电压钳位、静电放电（ESD）保护以及逻辑电平转换等应用场景。由于其小型化封装和高性能特性，特别适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及通信模块等。
该二极管采用先进的硅外延制造工艺，确保了低正向压降和快速反向恢复时间，从而在高频工作条件下仍能保持高效性能。其额定工作温度范围为-55°C至+150°C，满足工业级和汽车级应用的严苛环境要求。此外，BAV99HMT116符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，适应现代绿色电子制造的需求。
类型：双二极管（共阴极）
材料：硅
封装：SOT-23（SC-59）
通道数量：2
最大正向电流（IF）：200mA
峰值反向电压（VRM）：70V
最大反向电压（VR）：70V
最大反向漏电流（IR）：5μA @ 70V
正向压降（VF）：1.25V @ 10mA
反向恢复时间（trr）：4ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
热阻抗（RθJA）：350°C/W
安装类型：表面贴装（SMD）
BAV99HMT116的核心优势在于其高速开关能力和紧凑的封装设计。每个二极管具有极短的反向恢复时间（典型值为4ns），使其能够在高频信号环境中迅速响应电压变化，有效减少开关损耗并提升系统效率。这一特性使其非常适合用于高频整流、数据线路保护和高速逻辑接口中。其正向压降低至1.25V以下（在10mA条件下），有助于降低功耗，延长电池供电设备的工作时间。
该器件的共阴极结构允许两个阳极共享同一个阴极端子，简化了PCB布局布线，尤其适用于需要对称信号处理或多路信号钳位的应用场景。例如，在I2C、SPI或USB等通信总线上，BAV99HMT116可用于防止过压冲击和静电放电（ESD）损坏敏感的CMOS输入级。其ESD耐受能力可达±2kV（人体模型），进一步增强了系统的可靠性。
SOT-23封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.8mm × 1.6mm × 1.1mm），而且具备良好的热传导性能，能够在有限的空间内实现高效的热量散发。这种封装形式支持自动化贴片生产，适用于大规模回流焊工艺，提高了制造效率和产品一致性。同时，该器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和高湿储存试验，确保在恶劣环境下长期稳定运行。
BAV99HMT116还具备优异的电气隔离性能，两组二极管之间具有较高的绝缘电阻和低交叉干扰，保证了多通道信号处理时的独立性和稳定性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其能够适应从消费类电子到工业控制乃至部分汽车电子系统的多样化需求。整体而言，这款二极管以其高性能、高可靠性和小型化特点，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。
BAV99HMT116广泛应用于各类电子系统中，主要用于信号整流、电压钳位、静电放电（ESD）保护、电平转换和高频开关电路。常见于便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的接口保护电路。在通信领域，它被用于USB、HDMI、以太网端口的数据线保护，防止瞬态电压损伤主控芯片。此外，在工业控制系统中，该器件可用于PLC模块、传感器接口和数字I/O端口的信号调理与防护。
在电源管理电路中，BAV99HMT116可用于低压直流信号的整流与续流，特别是在DC-DC转换器或LDO稳压器的反馈回路中作为辅助二极管使用。其快速响应特性也使其适用于采样保持电路、峰值检测器和模拟开关中的信号控制环节。在汽车电子中，尽管不是专为AEC-Q101认证设计，但在非关键性车载模块如信息娱乐系统、车内照明控制和车载充电器中仍有应用潜力。
由于其共阴极配置，BAV99HMT116特别适合用于双通道正向电压钳位电路，将输入信号限制在安全范围内，避免超过后续IC的最大输入电压。例如，在ADC前端保护、微控制器GPIO引脚保护中，它可以有效地将过冲电压引导至电源轨或地线。同时，其低漏电流和高阻断电压特性也使其适用于高阻抗信号路径中的隔离与切换功能。总体来看，该器件凭借其多功能性和高集成度，已成为现代电子设计中广泛采用的标准分立器件之一。
MMBD99LT1G
BAT54C
DMN1019UW-7
FMMT493TA
