时间：2025/5/29 22:33:19
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LNBP10SP 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为射频和微波应用设计。该器件具有高功率密度、高效率和宽频带的特点，能够满足现代通信系统对高性能的需求。LNBP10SP 适用于雷达、卫星通信、5G基站等高频应用场景。
工作频率：DC 至 18 GHz
输出功率：40 W（典型值）
增益：12 dB（典型值）
效率：60%（典型值）
供电电压：28 V
静态电流：3.5 A（典型值）
封装形式：陶瓷气密封装
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
LNBP10SP 使用先进的 GaN-on-SiC 技术制造，提供卓越的射频性能。其高频段支持使其非常适合用于毫米波通信领域。
GaN 材料的高击穿电压特性使得 LNBP10SP 能够在高功率下稳定运行，同时保持较高的能效。
该器件内置匹配网络，减少了外部元件需求，简化了电路设计流程。
此外，LNBP10SP 具备良好的线性度和稳定性，能够适应复杂调制信号的需求。
通过优化的热管理设计，LNBP10SP 可以在高温环境下长期工作，保证系统的可靠性。
LNBP10SP 广泛应用于各种射频和微波场景中，包括但不限于：
- 无线基础设施（如 5G 基站）
- 卫星通信设备
- 军用雷达系统
- 医疗成像设备
- 测试与测量仪器
其高效率和宽带支持能力，使它成为需要高性能放大器应用的理想选择。
LNBP10SM, LNBG12SP
