时间：2025/8/5 16:48:58
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36N50是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于开关电源、电机驱动、逆变器等高功率应用场景。其封装形式通常为TO-220或TO-3P，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
最大漏极电流（Id）：36A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.16Ω（在Vgs=10V时）
功率耗散（Pd）：150W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220、TO-3P
36N50 MOSFET具备多项优异的电气和热性能，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其高漏源击穿电压（500V）使其适用于高电压环境，如开关电源和逆变器系统。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，36N50的额定漏极电流为36A，能够承受较大的负载电流，适用于高功率输出场合。其封装形式具有良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。MOSFET的栅极驱动简单，响应速度快，适合高频开关应用。36N50还具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性。整体来看，36N50是一款性能稳定、应用广泛的功率MOSFET，适用于多种工业和消费类电子设备。
36N50广泛应用于各类电力电子设备中，主要包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电池充电器、LED驱动电路、工业自动化控制系统以及家用电器中的功率控制模块。由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适合需要高效能和高可靠性的设计。
IRF360、FDP36N50、STP36NF06、IRF450
