IR3M92N4 时间：2025/8/28 8:59:57 阅读：14

IR3M92N4是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。该器件设计用于提供高效能、高可靠性和低导通损耗，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等领域。IR3M92N4采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有出色的热稳定性和电流承载能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：120A
　　漏-源极击穿电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值5.7mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

IR3M92N4具有多个突出特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），确保在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体系统效率。其次，该MOSFET具备高耐压能力，Vds最大可达100V，适用于中高功率应用。此外，IR3M92N4采用TO-263封装，具备良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度PCB布局。
　　该器件还具备优异的热稳定性和抗冲击能力，能够在高温和高负载环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V或12V驱动电路，简化了驱动电路设计。此外，IR3M92N4的快速开关特性有助于降低开关损耗，提高系统响应速度，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路。

应用

IR3M92N4适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：服务器电源、通信电源、工业电源、电动车电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流模块、电机驱动器以及高性能计算设备的电源管理单元。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换和功率控制应用。
　　在DC-DC转换器中，IR3M92N4可作为主开关或同步整流开关，显著提升转换效率。在电机驱动系统中，它能够承受高电流脉冲，提供稳定的输出性能。此外，在电池管理系统中，该器件可用于充放电控制电路，确保系统的安全运行。