LNA7608HDT1WG 是一颗由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier),专为高性能射频(RF)和微波应用设计。该器件采用先进的SiGe(硅锗)技术制造,具有优异的噪声系数、高增益以及良好的线性性能,适用于无线通信系统、基站、测试设备和工业控制系统等领域。LNA7608HDT1WG 提供SOT-89-3L封装,适用于表面贴装工艺,具备良好的热稳定性和高频性能。
类型:低噪声放大器(LNA)
工艺技术:SiGe
频率范围:50 MHz - 6 GHz
噪声系数:0.55 dB(典型值)
增益:17.5 dB(典型值)
输出IP3:34 dBm(典型值)
工作电压:5.0 V
工作电流:80 mA
封装类型:SOT-89-3L
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
LNA7608HDT1WG 是一款高度集成且性能优异的射频低噪声放大器,其核心特性之一是宽频带操作能力,覆盖50 MHz至6 GHz频率范围,使其适用于多种无线通信标准,如Wi-Fi、WiMAX、蜂窝网络(GSM、WCDMA、LTE)和数字广播系统。该器件采用SiGe技术,显著降低了噪声系数,在典型工作条件下达到0.55 dB,确保了信号接收的高灵敏度。
此外,LNA7608HDT1WG 提供17.5 dB的中等增益,并具有出色的线性度,输出三阶交调截点(OIP3)高达34 dBm,能够在高信号强度下保持良好的信号保真度,防止信号失真。其工作电压为5 V,典型工作电流为80 mA,属于中等功耗设计,适用于需要高线性度和低噪声性能的应用场景。
该器件采用SOT-89-3L封装,具有良好的热稳定性和机械稳定性,适合表面贴装工艺,适用于大批量生产环境。其工作温度范围为-40°C至+125°C,确保了在工业级温度环境下的稳定运行。LNA7608HDT1WG 无需外部偏置电路,简化了设计复杂度并节省了PCB空间。
LNA7608HDT1WG 主要用于高性能射频前端系统,如无线基站、测试测量设备、工业无线通信模块、卫星通信设备、无线传感器网络以及各类高灵敏度接收器系统。由于其宽频带特性和优异的噪声性能,它也广泛应用于Wi-Fi接入点、WiMAX终端设备、LTE用户终端设备以及RFID读写器等产品中。此外,该放大器适用于需要高线性度和低噪声的射频信号放大场景,例如在医疗成像设备中的射频接收链路、雷达系统以及无线音频/视频传输设备。
HMC414LCB, MAX2640, BGA7257, ATF-54143