时间：2025/5/29 13:59:02
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FM18N101J101PSG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景，具有低导通电阻和快速开关特性。其设计目标是提供高效率和可靠性，在高频应用中表现尤为出色。
FM18N101J101PSG 的封装形式为符合行业标准的表面贴装类型，便于自动化生产和组装。其出色的电气性能使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
型号：FM18N101J101PSG
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源极击穿电压 (Vds)：100 V
栅源极阈值电压 (Vgs(th))：2.5 V ~ 4.5 V
最大漏极电流 (Id)：12 A
导通电阻 (Rds(on))：12 mΩ @ Vgs = 10 V
功耗：13.2 W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：PSG
FM18N101J101PSG 具有以下显著特性：
1. 低导通电阻 (Rds(on))：这使得在大电流应用中损耗更低，提高整体效率。
2. 快速开关速度：较低的输入电容和输出电容确保了更快的开关响应时间，减少开关损耗。
3. 高耐压能力：100V 的漏源极击穿电压允许其在较高电压环境下稳定运行。
4. 宽广的工作温度范围：从 -55°C 到 +175°C 的温度区间保证了其在极端环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准：无铅环保设计，满足现代绿色电子产品的要求。
6. 表面贴装封装 (PSG)：适合大规模生产，并且节省空间。
FM18N101J101PSG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电机驱动和控制电路中的功率级开关。
3. LED 照明驱动电路。
4. 电池保护和管理模块。
5. 工业自动化设备中的负载切换。
6. 消费类电子产品中的功率转换和调节。
由于其高性能和可靠性，FM18N101J101PSG 在各种需要高效功率转换和开关操作的应用中表现出色。
FM18N101J101PFG, IRFZ44N, FQP18N10
