LN7533MR 时间：2025/7/11 13:30:55 阅读：12

LN7533MR 是一款高性能的双极性晶体管（BJT），专为高频放大和开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有高增益、低噪声和优异的频率特性，适合用于无线通信设备、射频模块以及各种工业和消费类电子产品的信号放大与处理。
　　LN7533MR 在高频条件下表现尤为突出，能够满足现代电子系统对效率和性能的严格要求。

参数

集电极-发射极电压：40V
　　集电极电流：200mA
　　直流电流增益（hFE）：100~400
　　过渡频率（fT）：1.8GHz
　　功率增益带宽积：3GHz
　　封装形式：SOT-23
　　工作温度范围：-55℃~+150℃

特性

1. 高频性能：LN7533MR 的过渡频率高达 1.8GHz，使其非常适合高频应用。
　　2. 小型化封装：采用 SOT-23 封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。
　　3. 广泛的工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +150℃ 的温度范围，适用于恶劣环境下的应用。
　　4. 高增益：直流电流增益（hFE）范围为 100 至 400，提供稳定的信号放大能力。
　　5. 低噪声：优化的内部结构设计，降低噪声水平，提升信号质量。

应用

1. 射频信号放大：
　　LN7533MR 可用于无线通信系统的射频前端，作为低噪声放大器或驱动放大器。
　　2. 高速开关：
　　适用于需要快速切换的数字电路或脉冲生成电路。
　　3. 消费类电子产品：
　　如蓝牙模块、WiFi 路由器等高频信号处理场景。
　　4. 工业控制：
　　在工业自动化领域中，可作为信号调节器或传感器接口的一部分。