时间：2025/8/15 22:46:54
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LN7462DT1WG 是一款由 LRC（乐山无线电）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术制造，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性，适用于各种电源管理和功率开关应用。LN7462DT1WG 采用 TO-252（DPAK）封装形式，适用于表面贴装技术（SMT），适合在中高功率电子设备中使用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：≤2.8mΩ（@Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
LN7462DT1WG MOSFET 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOS 工艺，使得导通电阻与栅极电荷（Qg）之间实现了良好的平衡，从而提升了开关性能。
此外，LN7462DT1WG 的最大漏极电流可达 60A，适用于需要高电流承载能力的电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关和马达驱动器等应用。其最大漏源电压为 60V，适用于中等电压范围的功率系统设计。
LN7462DT1WG 主要应用于以下领域：
1. 电源管理：如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等，用于高效能电源系统中降低导通损耗，提高转换效率。
2. 电机控制：用于电动工具、工业自动化设备和家用电器中的马达驱动电路，作为高电流开关使用。
3. 电池管理系统：在电池充放电保护电路中作为主控开关，提供低损耗和高可靠性。
4. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED 驱动器、起动系统等对可靠性和效率有较高要求的应用场景。
5. 工业控制：如 PLC 控制模块、电源分配系统、伺服驱动器等工业自动化设备中的功率开关。
SiSS62DN, IPD65R1K5PFD, FDD6685, AUIRF7462PBF
