您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2N4393

2N4393 发布时间 时间:2025/7/26 6:40:55 查看 阅读:4

2N4393是一款常用的N沟道结型场效应晶体管(JFET),广泛应用于低噪声前置放大器、模拟开关和信号处理电路中。作为一款经典的JFET器件,2N4393以其高输入阻抗、低噪声系数和良好的线性特性而闻名,特别适合用于音频放大和模拟信号处理场合。

参数

类型:N沟道JFET
  漏极电流(IDSS):1mA至5mA(典型值2mA)
  栅极截止电压(VGS(off)):-0.5V至-5V(典型值-2.5V)
  跨导(Gm):1000μS至3000μS
  最大漏极电压(VDS):20V
  最大栅极电压(VGS):-25V
  功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

2N4393具有多个关键特性,使其在模拟电路设计中备受青睐。首先,其高输入阻抗(通常在10^9Ω以上)使得该器件在高阻抗信号源的接口电路中表现优异,能够最大限度地减少对信号源的负载效应。其次,2N4393具有较低的噪声系数,特别适用于前置放大器等对噪声敏感的应用场景。此外,该器件的跨导(Gm)在1000μS至3000μS之间,表明其具有良好的增益控制能力,能够在模拟信号放大和调节中提供稳定性能。2N4393的工作温度范围宽,支持从-55°C至+150°C的工业级应用,使其适用于各种恶劣环境下的电子设备。由于其封装形式多为TO-92或SOT-23,体积小巧且易于安装,因此也广泛用于便携式电子设备和嵌入式系统中。
  该JFET器件的栅极-源极电压范围较大,支持从0V到-5V的操作,提供了良好的控制灵活性。同时,其漏极-源极击穿电压为20V,确保了在较高电压条件下的稳定运行。此外,2N4393的功耗为300mW,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于长时间工作的电子系统。

应用

2N4393广泛应用于多种电子系统中,特别是在需要高输入阻抗和低噪声性能的场合。其典型应用包括前置放大器、音频放大器、模拟开关、电压控制电阻(VCR)电路以及信号调节电路。在音频设备中,2N4393常用于麦克风前置放大器,以提供高保真音频信号放大。在模拟开关和混频器电路中,2N4393可以作为电压控制开关,实现信号路径的切换或混合。此外,该器件也常用于仪表放大器、传感器接口电路以及精密测量设备中,用于处理微弱模拟信号。由于其良好的线性特性和低失真性能,2N4393也适用于射频(RF)前端电路和低噪声放大器(LNA)设计。

替代型号

2N4416, J201, BF245C, 2SK117

2N4393推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

2N4393资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

2N4393参数

  • 制造商Central Semiconductor
  • 产品种类JFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 漏源电压 VDS40 V
  • 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss)5 mA to 30 mA
  • 闸/源击穿电压40 V
  • 漏极连续电流0.1 nA
  • 配置Single
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-18
  • 功率耗散1.8 W
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)100 Ohms
  • 工厂包装数量2000