制造商: STMicroelectronics
　　类型: 射频功率晶体管
　　晶体管类型: N沟道 LDMOS
　　工作频率范围: 1 MHz 至 60 MHz
　　最大漏极电压(Vdss): 65 V
　　最大栅极电压(Vgs): -5 V 至 +15 V
　　最大输出功率(Pout): 1800 W（典型值，CW模式）
　　增益: 20 dB（典型值）
　　效率: 75%（典型值）
　　封装类型: TO-247
　　工作温度范围: -55°C 至 +150°C
　　存储温度范围: -65°C 至 +150°C
　　引脚数: 3

SPN860018 TR 射频功率晶体管具备多项先进特性，使其在高功率射频应用中表现出色。首先，其采用的LDMOS技术提供了卓越的线性度和效率，尤其在高频率和高功率条件下依然保持稳定性能。该器件在1 MHz至60 MHz频率范围内能够输出高达1800 W的连续波（CW）功率，满足工业和汽车应用对高功率密度的需求。
　　其次，SPN860018 TR 具有良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行。其TO-247封装形式不仅提供了良好的散热性能，还简化了安装和散热片的集成过程。此外，该晶体管的栅极电压范围为-5 V至+15 V，允许灵活的偏置设置，从而优化不同应用中的性能表现。
　　该器件还具有高耐用性和长期可靠性，特别适用于恶劣环境下的应用。其高击穿电压（65 V）确保了在高压条件下仍能安全运行，降低了因过电压导致故障的风险。同时，SPN860018 TR 在不同工作条件下均能保持一致的输出性能，减少了系统设计中的调校需求，提高了整体系统的稳定性。

SPN860018 TR 主要应用于需要高功率射频能量传输的工业和汽车系统。例如，在射频加热系统中，该器件能够提供高效率的射频能量，用于塑料焊接、食品加热、材料处理等领域。此外，SPN860018 TR 也广泛用于射频等离子体发生器，为半导体制造、表面处理和纳米材料合成等工艺提供稳定的射频电源。
　　在射频焊接设备中，SPN860018 TR 能够提供高功率输出，确保焊接过程的稳定性和一致性。同时，该器件也适用于射频放大器设计，作为主功率放大器使用在广播和通信系统中。由于其卓越的可靠性和宽工作温度范围，SPN860018 TR 也适合用于汽车电子系统，如电动汽车的射频充电系统和车载射频测试设备。

STP1800-65DM, SPN860017TR