晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110至800（根据档位不同）
　　封装类型：SOT-23

SMBT1124LT2晶体管具有多项优异的电气特性，适合多种应用场景。其最大集电极-发射极电压为30V，允许在中等电压环境下工作，而最大集电极电流为100mA，足以满足大多数低功率电子电路的需求。该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，具体数值取决于器件的分级，这使得它在放大电路中具有很高的灵活性。
　　此外，SMBT1124LT2的增益带宽积为100MHz，表明其具备良好的高频响应能力，能够在快速开关应用中提供出色的性能。晶体管的低饱和电压特性有助于减少功率损耗，提高电路效率，尤其适用于电池供电设备和节能型电子产品。
　　该器件采用SOT-23小型封装，节省空间且易于集成在高密度PCB设计中。其封装还具有良好的热稳定性和机械强度，适用于各种工业和消费类应用。

SMBT1124LT2晶体管广泛应用于多个电子领域。在数字电路中，它常用作开关元件，用于控制LED、继电器、小型电机等负载。由于其高电流增益和快速响应能力，该晶体管也适用于信号放大电路，如音频前置放大器和射频信号处理电路。
　　此外，SMBT1124LT2还被广泛用于电源管理系统，如DC-DC转换器和稳压电路中的控制开关。其低饱和电压和良好的热稳定性使其在节能和高效率电源设计中表现优异。
　　在工业自动化和通信设备中，该晶体管可用于接口电路和逻辑电平转换器，实现信号隔离和电平匹配。消费电子产品中，如智能手机、可穿戴设备和智能家居控制器等，也常采用该晶体管以实现小型化和高性能设计。

BCX70G、MPS2222、2N3904、SMBT2222ALT1