类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　连续漏极电流（Id）：6 A
　　功耗（Pd）：2.5 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　导通电阻（Rds(on)）：28 mΩ @ Vgs=10V

LN7402DT1WG 采用了先进的沟槽式功率 MOSFET 技术，使其在低电压应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）仅为 28 mΩ，在 Vgs=10V 时可有效降低功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具有较高的连续漏极电流能力，可达 6A，适用于中等功率的负载切换和电源管理应用。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围为 ±12V，确保了与常见逻辑电平控制器的兼容性。在实际应用中，该器件能够在较低的栅极电压下实现完全导通，从而降低控制电路的复杂性和功耗。
　　封装方面，LN7402DT1WG 采用 SOT-23 小型表面贴装封装，体积小巧，便于 PCB 布局，并适用于空间受限的设计。该封装也具有良好的热性能，可在一定程度上满足高密度功率应用的需求。
　　此外，该器件的热阻（RθJA）为约 50°C/W，表明其具有良好的散热能力，适用于需要长时间高负载工作的场景。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在各种工业和消费类环境中使用。

LN7402DT1WG 主要应用于各类低电压功率转换系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可用作同步整流器或主开关，提升转换效率并减少发热。在负载开关电路中，它可以作为电子开关控制电源通断，适用于电池供电设备中的节能管理。
　　该 MOSFET 也常用于电机驱动电路中，作为 H 桥结构的一部分，控制直流电机的方向和速度。此外，它还可以用于 LED 背光驱动、电源管理模块以及各种电源控制电路中。
　　由于其小型 SOT-23 封装，LN7402DT1WG 也非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、移动电源和可穿戴设备等，提供高效率和紧凑的功率解决方案。

Si2302DS, 2N7002, AO3400A, FDS6675