时间：2025/7/8 21:14:45
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DMN6068LK3-13 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小尺寸的 LFPAK33 封装（也称为 DFN33 封装），具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于便携式设备、消费类电子产品的负载开关、同步整流和电机驱动等应用。
该芯片设计目标是提供高效的功率管理解决方案，其优化的电气特性和封装形式使其在空间受限的应用中表现出色。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：9.4A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：14nC（典型值）
总功耗：1.3W
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：LFPAK33（DFN33）
DMN6068LK3-13 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能力，增强在异常情况下的耐用性。
3. 快速开关性能，减少开关损耗，适合高频应用。
4. 紧凑的 LFPAK33 封装节省 PCB 空间，同时具备卓越的热性能。
5. 宽工作温度范围，支持从低温到高温环境的各种应用场景。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品设计中。
DMN6068LK3-13 广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的负载开关。
2. 同步整流电路，特别是在 DC-DC 转换器中。
3. 电池供电设备的电源管理。
4. 小型电机驱动及控制。
5. 保护电路，例如过流保护或短路保护。
6. 任何需要高效功率转换和低导通损耗的设计场景。
DMN6069LK3-13, DMN6067LK3-13
