时间：2025/7/8 19:41:16
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LN6206P282MR-G 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源管理及信号切换应用。其封装形式为 SOT-23，适合表面贴装技术，能够节省电路板空间并提高设计灵活性。
该 MOSFET 的主要特点是低栅极电荷和高能效，这使其非常适合便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制等应用场景。此外，LN6206P282MR-G 提供了出色的耐热性能和电气可靠运行。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：1.7A
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（典型值，在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：1.6nC（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗。
2. 快速开关能力，支持高频操作。
3. 小型化封装设计，便于在紧凑型设计中使用。
4. 高静电放电（ESD）保护性能，增强了器件的可靠性。
5. 支持逻辑电平驱动，降低了对驱动电路的要求。
6. 耐雪崩能力良好，提升了在异常条件下的耐用性。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 消费类电子产品的电源管理模块。
4. 工业控制和通信设备中的信号切换。
5. LED 照明驱动器中的电流控制。
6. 数据通信接口中的保护电路。
7. 各种便携式设备中的高效能量转换方案。
LN6206P282MR-T, LN6206P282MR-K, STN4NK65T4, IRF7409TRPBF
