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ZXMN3A06DN8TC 发布时间 时间：2023/9/14 17:50:55 查看 阅读：166

产品种类：MOSFET小信号

目录

概述

制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
配置：DualDualDrain
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.035Ohms
汲极/源极击穿电压：30V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：6.2A
功率耗散：1.25W
最大工作温度：+150℃
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SO-8
封装：Reel
最小工作温度：-55℃

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ZXMN3A06DN8TC产品

ZXMN3A06DN8TC参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs17.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds796pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装8-SOP
  • 包装带卷 (TR)

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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