CPH5617-TL 时间：2025/9/21 0:33:55 阅读：5

CPH5617-TL是一款由Central Semiconductor Corp生产的双N沟道MOSFET晶体管，专为高效率、低电压开关应用设计。该器件采用紧凑型SOT-23封装，适用于空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局。CPH5617-TL集成了两个独立的N沟道MOSFET，每个MOSFET都具有低导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。由于其优异的热性能和电气性能，该芯片广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备以及信号切换等场景。
　　CPH5617-TL的设计注重节能与可靠性，在低栅极驱动电压下仍能实现良好的导通性能，兼容3.3V或更低逻辑电平控制，适合现代低功耗嵌入式系统使用。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于消费类电子产品、工业控制模块及通信设备中的小型化设计需求。

参数

型号：CPH5617-TL
　　类型：双N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：300mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：1.2A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.95Ω @ VGS=4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：0.8V ~ 1.5V
　　输入电容（Ciss）：27pF @ VDS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻抗（RθJA）：450°C/W
　　安装类型：表面贴装

特性

CPH5617-TL具备出色的电气特性和热稳定性，能够在小尺寸封装中提供可靠的开关性能。其低漏源导通电阻确保在导通状态下功耗最小化，从而减少发热并提高整体能效，特别适用于电池供电系统中延长续航时间的应用需求。两个通道之间具有良好的匹配性，适合用于同步整流或差分信号控制场合。
　　该器件拥有较低的栅极电荷（Qg），通常在5nC左右，这使得它能够以更快的速度进行开关操作，显著降低开关过程中的能量损耗，提升高频工作下的效率表现。同时，较低的输入电容也有助于减轻驱动电路的负担，使其更容易被微控制器或其他数字逻辑器件直接驱动，无需额外的缓冲或驱动级电路。
　　CPH5617-TL的工作结温可达+150°C，具备较强的环境适应能力，可在高温工业环境中稳定运行。其热阻抗相对较高，因此在大电流应用中建议优化PCB布局以增强散热效果，例如增加铜箔面积或使用过孔辅助散热。
　　此外，该MOSFET对静电敏感度进行了合理控制，但仍建议在处理和焊接过程中采取适当的ESD防护措施，避免因静电放电造成器件损伤。整体而言，CPH5617-TL是一款高性能、低成本、高集成度的双N-MOSFET解决方案，适用于各种对空间和效率要求较高的现代电子系统。

应用

广泛用于便携式电子设备中的电源开关与负载控制；适用于低压DC-DC转换器中的同步整流电路；作为信号路由或多路复用系统中的模拟开关元件；用于电池管理系统（BMS）中实现充放电路径控制；应用于LED背光驱动或指示灯控制回路；适合于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机等内部电源管理模块；也可用于工业传感器、IoT节点设备中的低功耗开关单元；支持热插拔电路设计，防止上电冲击；适用于需要双通道独立控制的小功率电机驱动或继电器驱动接口电路。