时间：2025/8/15 6:56:16
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UF1004FCT是一款由United Silicon Carbide（UnitedSiC）制造的碳化硅（SiC）功率场效应晶体管（MOSFET）。碳化硅是一种第三代半导体材料，相较于传统的硅基功率器件，具有更高的击穿电压、更低的导通电阻以及更优的热管理能力。UF1004FCT特别适用于高效率、高频开关的电力电子应用，如电动汽车（EV）充电系统、光伏逆变器、工业电源、以及储能系统等。该器件采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装形式，便于散热设计和自动化生产。
类型：碳化硅（SiC）MOSFET
最大漏源电压（VDS(max)）：1200V
连续漏极电流（ID）：100A（Tc=100℃）
导通电阻（RDS(on)）：4mΩ（典型值）
封装形式：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
栅极电荷（Qg）：200nC（典型值）
短路耐受能力：典型600V/10μs
UF1004FCT采用了先进的碳化硅技术，具有优异的导通和开关性能。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，使得器件在高电流工作条件下仍能保持较低的温升。此外，该MOSFET具备出色的开关性能，尤其在高频应用中表现优异，能够有效减少开关损耗并提高系统效率。
该器件的热稳定性也非常好，能够在高温环境下稳定运行，适合在高温和高功率密度环境中使用。同时，UF1004FCT具备良好的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和安全性。
在封装方面，TO-263（D2PAK）封装支持表面贴装工艺，简化了PCB布局，并提升了热传导效率。该封装设计也便于模块化设计和批量生产。
UF1004FCT广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括：
1. 电动汽车（EV）车载充电器（OBC）和DC-DC转换器
2. 光伏逆变器与储能系统
3. 工业电源和不间断电源（UPS）
4. 电机驱动和变频器系统
5. 5G基站电源和数据中心服务器电源
6. 高频开关电源（SMPS）设计
SiC MOSFET UF1004FCT的替代型号包括：Cree（Wolfspeed）的C3M0040120K、STMicroelectronics的SCTW100N120G2、Infineon Technologies的IMW120R045M1H、ON Semiconductor的NVH4L080N120SC1
