类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：3.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.9Ω @ Vgs = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散（Pd）：40W
　　漏极电流峰值（Idm）：12A
　　输入电容（Ciss）：390pF @ Vds = 25V
　　开启阈值电压（Vgs(th)）：2V 至 4V

LN3N40T1G采用高性能的Trench MOSFET结构，能够在高电压条件下提供较低的导通损耗，从而提高系统的整体效率。其导通电阻Rds(on)最大为1.9Ω，使得在额定电流下的功耗较低，有助于提高能源利用效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适用于高可靠性应用场景。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，支持常见的10V至15V驱动电压，适用于多种控制电路。其开启阈值电压（Vgs(th)）在2V至4V之间，确保了器件在不同驱动条件下的稳定导通。同时，其输入电容Ciss仅为390pF，有助于减少开关损耗并提高响应速度。
　　封装方面，LN3N40T1G采用标准的TO-220封装，具有良好的散热性能，便于在PCB上安装和散热设计。其最大功率耗散为40W，适合中高功率应用。此外，该器件的漏极电流峰值可达12A，具备良好的瞬态响应能力，适用于需要高电流脉冲的应用场景。

LN3N40T1G广泛应用于各类电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、光伏逆变器以及工业自动化控制系统。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通电阻，特别适用于需要高效率和高可靠性的电源转换场合。在DC-DC转换器中，LN3N40T1G可用于同步整流、升压或降压拓扑结构，提高转换效率。在电机控制中，它可以作为功率开关元件，用于调节电机速度和方向。此外，在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池充放电控制，实现高效能量管理。
　　该器件还适用于各类负载开关电路，如LED驱动、电源管理模块以及智能家电中的功率控制部分。由于其具备较高的耐压能力和良好的热稳定性，LN3N40T1G也常用于工业控制和通信设备中的电源模块设计。

FQP3N40, IRF740, STP4NK50Z, 2SK2545