时间：2025/6/22 7:58:43
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MT18N221F500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效功率控制的场景。该器件采用先进的制程工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，有助于提高整体系统效率并减少发热。
MT18N221F500CT 的封装形式通常为 TO-247 或类似的功率封装，适合高电流和高散热需求的应用场合。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：36A
导通电阻：0.08Ω
栅极电荷：25nC
开关时间：ton=19ns, toff=31ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
3. 快速开关特性，减少了开关损耗，特别适用于高频应用。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业要求。
5. 强大的散热性能，适合长时间高负载运行环境。
6. 稳定的电气性能，在宽温度范围内表现优异。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 太阳能逆变器和 UPS 系统中的功率转换模块。
4. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 高压大电流电路中的保护和隔离功能实现。
MT18N221F550CT, IRFP260N, STP36NF55
