时间：2025/9/14 16:50:15
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PSMNR60-25YLHX 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等多种应用场合。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：180A（在 Tc=25°C）
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻 Rds(on)：最大 2.5mΩ（在 Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6 或类似高性能封装
功耗（Ptot）：42W
漏极-源极击穿电压：60V
PSMNR60-25YLHX 的核心优势在于其极低的导通电阻，使其在高电流工作状态下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了 STMicroelectronics 的先进沟槽技术，实现了更高的电流密度和更低的开关损耗。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C）确保了在严苛环境下的稳定运行。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和短路耐受能力，适合用于高性能电源系统。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常为 4.5V 至 10V），便于与各种驱动电路配合使用。
封装方面，PSMNR60-25YLHX 采用了 PowerFLAT 5x6 等无引脚封装技术，具备优异的热传导性能和紧凑的外形尺寸，有助于提高 PCB 布局的灵活性和散热效率。这种封装形式也有利于降低寄生电感，提高高频开关性能，减少电磁干扰（EMI）。
此外，该器件具有出色的可靠性，适用于汽车电子、工业控制和通信电源等对稳定性和寿命要求较高的应用场景。
PSMNR60-25YLHX 广泛应用于各类高功率密度电源系统中，包括但不限于：
? 同步整流式 DC-DC 转换器和降压/升压变换器
? 服务器和通信设备的电源模块
? 电机驱动和负载开关电路
? 电池管理系统（BMS）
? 汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器和车身控制模块
? 工业自动化和高功率 LED 驱动电源
PSMNZ60-25YLHX, PSMNR60-25YLC, PSMNR60-25YLCX, IPD60R250PFD7S, SQJA40EP
