时间：2025/5/30 21:57:32
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GQM1555C2D200FB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于N沟道增强型MOSFET。该芯片主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景中，具有低导通电阻和快速开关特性。它能够在高电流和高频应用中提供卓越的效率和稳定性。
型号：GQM1555C2D200FB01D
类型：N沟道增强型MOSFET
工作电压（Vds）：200V
导通电阻（Rds(on)）：0.03Ω（典型值，在Vgs=10V时）
最大漏极电流（Id）：30A（脉冲）
栅极电荷（Qg）：40nC（典型值）
输入电容（Ciss）：1500pF
总功耗（Ptot）：260W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃至+175℃
GQM1555C2D200FB01D具有非常低的导通电阻，这使其在大电流应用中能够显著降低传导损耗，提高系统效率。同时，其栅极电荷较小，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。此外，这款MOSFET采用了先进的制造工艺，确保了其在高温环境下的稳定性和可靠性。
该芯片还具备强大的雪崩能力，可以在过载或异常条件下保护电路。其出色的热性能和电气性能使得GQM1555C2D200FB01D成为工业级和汽车级应用的理想选择。
GQM1555C2D200FB01D广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车牵引逆变器、工业电机驱动以及电池管理系统（BMS）。由于其高耐压能力和低导通电阻，该芯片特别适合需要高效能量转换和高可靠性的应用场景。
GQM1555C2D200FA01D
GQM1555C2D200FB02D
IRFP260N
FDP18N20
