IXFX52N100X 时间：2025/8/6 1:41:02 阅读：10

IXFX52N100X 是一款由 IXYS 公司设计制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高电压和高电流的开关电路中，例如电源转换器、电机控制、直流电源供应器等领域。该器件采用 TO-247 封装，具备优异的导通特性和开关性能，适合在高效率功率系统中使用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：1000 V
　　漏极电流 Id：52 A
　　栅源电压 Vgs：±30 V
　　导通电阻 Rds(on)：典型值为 0.18 Ω
　　功耗 PD：300 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXFX52N100X 具备多项优良特性，包括高耐压能力和大电流承载能力，适用于高功率应用。该 MOSFET 的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，其快速开关特性使得该器件在高频开关电路中表现优异，降低了开关损耗并提升了整体性能。由于采用了先进的硅技术和坚固的封装结构，IXFX52N100X 在高温环境下也能保持稳定的运行。其高可靠性和耐用性使其成为工业电源、电动工具、不间断电源（UPS）等应用中的理想选择。
　　在保护特性方面，该器件具备过热保护和过电流保护能力，能够在极端工况下确保系统的稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（±30 V），增强了与各种驱动电路的兼容性。此外，TO-247 封装提供了良好的散热性能，有助于维持器件在高负载条件下的稳定工作温度。

应用

IXFX52N100X 常用于高功率电子系统，如开关电源（SMPS）、直流电机控制、逆变器、焊接设备、电动车辆充电系统、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备。其高耐压和大电流能力使其特别适合用于需要高效率和高可靠性的应用场合。此外，在太阳能逆变器和储能系统中也有广泛应用，特别是在需要高电压开关操作的场合。