LN1134B252MR 是一款高性能的 N 沣道开关晶体管,主要应用于电源管理、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
该芯片在设计上注重降低功耗和提升效率,同时具备良好的抗干扰能力和稳定性,非常适合工业控制、消费电子和通信设备中的应用。
型号:LN1134B252MR
类型:N 枋 MOSFET
封装:TO-252 (DPAK)
Vds(漏源电压):30V
Rds(on)(导通电阻):2.5mΩ
Id(连续漏极电流):67A
Vgs(栅源电压):±20V
f(工作频率):1MHz
结温范围:-55℃ 至 +175℃
LN1134B252MR 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 2.5mΩ,有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 高电流处理能力,最大支持 67A 的连续漏极电流,适用于大功率应用。
3. 良好的热性能,能够在极端温度范围内稳定运行,最高结温可达 +175℃。
4. 快速开关特性,支持高达 1MHz 的工作频率,适合高频应用环境。
5. 小型化封装 TO-252 (DPAK),节省电路板空间并简化布局设计。
6. 出色的电气保护功能,包括过流保护和短路耐受能力,增强了系统的可靠性。
LN1134B252MR 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中作为主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中用于控制和调节电机速度及方向。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 消费类电子产品中的电池管理系统 (BMS) 和充电器设计。
5. 通信基础设施中的电源管理和信号切换模块。
6. LED 照明驱动电路中的高效开关元件。
LN1134B252MRG, IRF7832, FDP5800